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IRLU2905ZPBF

HEXFET Power MOSFET

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Componentes Eletrônicos,Componentes Passivos,Ferramentas De Desenvolvimento,Acessórios&Ferramentas,Proteção De Circuitos,Iluminação LED,Sensores,Eletromecânica,Aparelhos de teste&Medição,Peças de Celular para Reposição,Fibra ótica

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  • Encapsulamento: TO-251
  • Marca: I
  • Código de data: 13+
  • Tipo de canal: N
  • Corrente de drenagem contínua máxima: 60 A
  • Tensão máxima da fonte de drenagem: 55 V
  • Resistência máxima da fonte de drenagem: 22.5 mΩ
  • Tensão máxima do limite do portão: 3V
  • Tensão mínima do limite do portão: 1V
  • Tensão máxima da fonte do portão: -16 V, +16 V
  • Tipo de pacote: IPAK (TO-251)
  • Tipo de montagem: Through Hole
  • Contagem de Pin: 3
  • Configuração do transistor: Single
  • Modo de canal: Enhancement
  • Categoria: Power MOSFET
  • Dissipação máxima de energia: 110 W
  • Tempo típico de atraso de desativação: 24 ns
  • Material do transistor: Si
  • Taxa típica do portão @ Vgs: 23 nC @ 5 V
  • Altura: 7.49mm
  • Series: HEXFET
  • Dimensões: 6.73 x 2.39 x 7.49mm
  • Tempo típico de atraso de ativação: 14 ns
  • Temperatura operacional máxima: +175 °C
  • Largura: 2.39mm
  • Número de elementos por chip: 1
  • Temperatura operacional mínima: -55 °C
  • Comprimento: 6.73mm
  • Capacidade típica de entrada @ Vds: 1570 pF @ 25 V

Nós fornecemos produtos de alta qualidade, serviço de qualidade e garantia pós-venda

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A Utsource é uma plataforma global de serviços on-line de componentes eletrônicos, na qual muitos fornecedores excepcionais estão reunidos. A Utsource fornece o serviço FBU (Cumprimento pela Utsource), é um serviço integrado para usuários de pequenas e médias empresas. Características: alta eficiência, alta velocidade, segurança e comodidade.

  • Alta eficiência
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Manual de dados

N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET? power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

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